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étude de VSI en carbure de silicium

étude de VSI en carbure de silicium
Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium

2014年12月19日  Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium – Potentiel d’utilisation dans les Applications Hautes Températures. Rémy 1, OUAIDA 2, Maxime

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(PDF) Etude et mise en oeuvre de modules de puissance

2013年11月7日  Le Carbure de Silicium (SiC) va permettre de repousser les limites des convertisseurs dans trois directions : tenue en tension élevée, haute température de

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Propriétés des défauts ponctuels natifs et induits par

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:48. Archivage à long terme le : mardi 6 avril 2010-21:14:08. Les applications potentielles du carbure de silicium (SiC) en

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Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les

2024年4月30日  RESUME – Le carbure de silicium, SiC, présente plusieurs avantages par rapport au silicium pour des applications en électronique de puissance, notamment en

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Etude d'interrupteurs en carbure de silicium et potentiel

Thèse Année : 2015. Etude d'interrupteurs en carbure de silicium et potentiel d'utilisation dans des applications aéronautiques. en. fr. Dhouha Othman (1) Afficher plus de détails.

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Caractérisation de modules MOSFET-SiC en vue de leur

2020年9月15日  RESUME – Le Carbure de Silicium (SiC) va permettre de repousser les limites des convertisseurs dans trois directions : haute tenue en tension, haute

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Contribution à l'étude de la fiabilité des MOSFETs en

2024年3月26日  Contribution à l’étude de la fiabilité des MOSFETs en carbure de silicium. Elec- tronique. Université de Lyon, 2016. Français. ￿NNT: 2016LYSEI021￿. ￿tel

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Contribution à l'étude de la fiabilité des MOSFETs en carbure de silicium

Ces dernières années ont vu apparaître sur le marché les premiers transistors de puissance de type MOSFET en carbure de silicium. Ce type de composant est particulièrement

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CVD du carbure de silicium à partir du système SiHxCl4

2016年9月23日  La thèse vise à évaluer le remplacement de ce précurseur par des précurseurs gazeux bi-sourcés de SiC où carbone et silicium sont apportés

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Contribution à l'étude de la fiabilité des MOSFETs en carbure de silicium

2016年3月25日  Les mécanismes de défaillance liés à l’oxyde de grille ont pendant longtemps retardé la mise sur le marché des transistors à grille isolée en carbure de

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La « force fondamentale » des équipements semi

2024年3月18日  Les composants en carbure de silicium CVD dans les équipements de gravure comprennent des bagues de focalisation, des pommes de douche à gaz, des plateaux, des anneaux de bord, etc. En raison de la faible réactivité et conductivité du carbure de silicium CVD aux gaz de gravure contenant du chlore et du fluor, il devient un

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Cristallogenèse de carbure de silicium cubique en solution à

Malgré ses propriétés remarquables, le développement de l'électronique basée sur 3C-SiC souffre du manque de substrats massifs. Ce fait résulte de l'absence d'un procédé d'élaboration adapté à ce matériau. Ce travail est dédié à l'étude de la croissance cristalline de 3C-SiC en solution à haute température. Dans un premier temps, le système de

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Propriétés des défauts ponctuels natifs et induits par

Les applications potentielles du carbure de silicium (SiC) en microélectronique ont motivé de nombreuses études sur les défauts ponctuels, qui jouent un rôle important dans la compensation électrique. Ce matériau possède en outre de nombreux atouts pour participer au confinement des matières fissiles dans les réacteurs à caloporteur gazeux du futur

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Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium

2014年12月19日  SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE’14) : EF-EPF-MGE 2014, 8-10 JUILLET 2014, ENS CACHAN, FRANCE Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium – Potentiel d’utilisation dans les Applications Hautes Températures Rémy OUAIDA 1, 2, Maxime BERTHOU 2, Pierre BROSSELARD 2, Sebastien OGE 1,

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Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium

2007年5月10日  Pres d’un siecle apres la decouverte de ses proprietes semi-conductrices en 1907, le carbure de silicium apparait sur la scene economique avec la mise sur le marche des premiers composants commerciaux : les diodes Schottky en 2002 et les transistors JFET peu apres, ainsi que les MESFET dans le domaine des hyperfrequences. Le prix

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Etude de micro-disques de carbure de silicium sur substrat de silicium ...

Cette thèse étudie la conception, la fabrication et la caractérisation de micro-disques de carbure de silicium sur substrat de silicium conçus pour opérer du proche au moyen infrarouge. Nous étudions une approche simple mais efficace permettant de supprimer les modes de galerie d'ordre supérieur tout en préservant le facteur de qualité du mode

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Développement du procédé de densification rapide appliqué au carbure de ...

2013年2月26日  Dans le cadre de cette étude, les régimes transitoires liés à une diminution de la proportion de H2 dans le mélange précurseur, avec formation d’interphases extrêmement riches en carbone ...

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Étude du frittage de poudres de carbure de silicium de taille ...

2011年12月14日  La mise en œuvre des reacteurs nucleaires du futur necessite des temperatures de fonctionnement elevees sous flux de neutrons. Parmi les candidats envisages pour les materiaux de structure et de gainage du combustible, les composites a matrice ceramique de type SiCf/SiCm presentent un potentiel eleve. Dans ce cadre, les

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CVD du carbure de silicium à partir du système SiHxCl4

2016年9月23日  Download Citation CVD du carbure de silicium à partir du système SiHxCl4-x/CyHz/H2 : étude expérimentale et modélisation Le carbure de silicium est un matériau souvent employé comme ...

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Onduleur de Courant Multiniveaux Moyenne Tension pour

Avec la poursuite de l’essor de semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) et notamment ceux de calibre en tension de 3, 3 kV (ou supérieurs), de nouvelles possibilités de conversion sont envisageables. ... (DC-DC) et d’un onduleur de tension (VSI) (DC-AC), il est possible d’utiliser des topologies à un seul étage de conversion ...

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Contribution à la conception des dispositifs de puissance en carbure de ...

Aujourd'hui le carbure de silicium, SiC, est un materiau qui permet le developpement de nouveaux composants de puissance. Le SiC est un semi-conducteur a grand gap, qui permet notamment de fabriquer des composants haute tension ou haute temperature. Des diodes PiN ayant des tenues en tension allant jusqu'a 5kV ont deja developpes au

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Comprendre les substrats SiC: Un composant essentiel de

2024年4月23日  Carbure de silicium (SiC) les substrats deviennent de plus en plus importants dans divers domaines, en particulier dans l'électronique de puissance en raison de leurs propriétés supérieures. SiC, un semi-conducteur à large bande interdite, offre de multiples avantages par rapport au silicium traditionnel, y compris une efficacité

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ÉLABORATION ET CARACTÉRISATION DU CARBURE DE

2024年1月8日  Lobjet de cette étude est la synthèse du carbure de silicium, en utilisant de mélanges de poudres de silicium et de graphite, par la mécanosynthèse. Dans le premier chapitre, nous ferrons appel aux matières premières et les méthodes expérimentales. Le deuxième chapitre est réservé aux résultats expérimentaux et les ...

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Etude des propriétés électriques d'un matériau polyimide a

L'objectif de cette étude est d'évaluer les potentialités du polyimide pour la passivation des composants de puissance en carbure de silicium (SiC), laquelle sera soumise à des températures ...

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Carbure de silicium (SiC) - Principales caractéristiques des

IV. Principales caractéristiques des céramiques étudiées. Le carbure de silicium SiC massif est un matériau céramique qui peut se présenter sous différentes couleurs : du jaune au bleu, en passant par le vert pâle ou même transparent à l’inverse du carbone (graphite) qui est toujours noir. La couleur des nanocristaux de SiC dépend ...

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Processus de fabrication de plaquettes de carbure de silicium

Le procédé de fabrication de plaquette de carbure de silicium est décrit en détail ci-dessous. 2,1Lingot de carbure de silicium en dés par Découpe multi-fils. Pour éviter le gauchissement, l'épaisseur de la plaquette après le découpage en dés est de 350 um. Généralement, il sera dilué après avoir été transformé en puce.

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ÉTUDE DE L’ACTIVITÉ BIOLOGIQUE DES POUDRES DE

2023年11月5日  La poudre de carbure de silicium utilisée durant l’étude est une poudre de SiC-α majoritaire en polytype 6H. Cette poudre contient 99% de SiC et se présente sous forme de grains de

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(PDF) Etude et mise en oeuvre de modules de puissance

2013年11月7日  Le Carbure de Silicium (SiC) va permettre de repousser les limites des convertisseurs dans trois directions : tenue en tension élevée, haute température de fonctionnement et forte vitesse de ...

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Élaboration Et Caractérisation Du Carbure De Silicium À

Résumé: L'objet de cette étude est la synthèse du carbure de silicium, en utilisant de mélanges de poudres de silicium et de graphite, par la mécanosynthèse. Dans le premier chapitre, nous ferrons appel aux matières premières et les méthodes expérimentales. Le deuxième chapitre est réservé aux résultats expérimentaux et les interprétations qui en

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Etude des mécanismes de montée capillaire du silicium

Lors de cette étude, des revêtements de pyrocarbone (PyC, à partir de propane) et de carbure de silicium (SiC, issu du mélange CH3SiCl3/H2) ont été mis en oeuvre par dépôt chimique en ...

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